端点星日志
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源—掩模协同优化：目标函数、算法与工程约束
从部分相干成像、源点梯度与双层优化，到共同工艺窗口、全芯片覆盖和 EUV 三维效应，系统理解源—掩模协同设计。
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从掩模到晶圆：光刻前向模型与误差传播
沿掩模散射、投影、光刻胶、显影和刻蚀建立前向链，推导 NILS、MEEF 与误差传播，再检查共同工艺窗口和随机失效。
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部分相干成像与照明角谱
从互相干性与 Abbe 源点求和出发，推导离轴照明的频谱移位、双光束成像、Hopkins TCC 与 SMO 的约束及局限。
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空中像与边缘敏感度：阈值模型、NILS 和工艺窗口
明确空中像与胶内像的区别，用阈值等值线推导边缘位移和 NILS，再连接剂量、离焦、胶化学及随机缺陷。
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光刻成像的空间频率响应
区分相干场传递函数、非相干强度 OTF 与部分相干模型，推导截止频率、衍射级次和带宽受限反设计的边界。
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计算光刻的反问题：成像带宽、邻近效应与工艺窗口
从 Rayleigh 缩放、衍射级次与光刻胶轮廓出发，解释 OPC、ILT 和 SMO 求解的对象、约束、模型误差以及工艺窗口。